爱普高电容密度硅电容S-SiCap™ Gen3通过客户验证

新竹2024年3月15日 /美通社/ -- 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普江南娱乐体育官网入口网站地址 今日宣布，新一代硅电容(S-SiCap™, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通过客户验证，此产品具备超高电容密度及超薄(<100um薄度)等优势，可在先进封装制程中与系统单芯片(SoC)进行弹性客制化整合，满足客户在高端手机及高性能计算(HPC)芯片的应用需求。

爱普江南娱乐体育官网入口网站地址 的S-SiCap^™使用先进的堆栈式电容技术(Stack Capacitor)开发，相比传统深沟式电容技术(Deep Trench Capacitor)的电容密度更高、体积更小更薄，且具有极佳的温度与电压稳定性。S-SiCap™ Gen3的电容值密度可达2.5uF/mm²，操作电压最高可支持1.2V，同时具有相当低的等效串联电感(Equivalent Series Inductance)及等效串联电阻(Equivalent Series Resistance)，在高频操作下能提供优异的稳压能力。

S-SiCap™具有超薄、客制化尺寸的特色，在先进封装制程中，能满足多样整合应用并且与SoC更接近。例如：接脚侧硅电容(S-SiCap™ on the landside)、封装基板内埋硅电容(S-SiCap™ embedded in package substrate)、2.5D封装应用硅电容(S-SiCap™ for 2.5D packaging)、硅电容中介层(S-SiCap™ in an interposer)等。

爱普江南娱乐体育官网入口网站地址 总经理洪志勋表示，在高端手机及HPC芯片的应用趋势中，SoC需提供更高的效能，但同时可能会伴随功耗增加、电压不稳的情况，客户为了稳定电压，对电容规格的要求也会提高，优化产品整体表现。爱普新一代S-SiCap^™ Gen3超越传统电容，电容密度更高、更薄、应用更多元，可搭配先进封装制程大幅提升SoC效能，在目前市场上极具优势。

关于爱普江南娱乐体育官网入口网站地址 股份有限公司

爱普江南娱乐体育官网入口网站地址 股份有限公司(TWSE:6531)是无晶圆厂客制化存储芯片设计和IP解决方案的半导体公司。产品包括：IoT存储芯片产品(IoTRAM™)、AI存储芯片解决方案(VHM™)、硅电容(S-SiCap™)。爱普江南娱乐体育官网入口网站地址 拥有强大的研发能力，长期致力为移动通信、穿戴设备、物联网、高端手机应用、高性能计算、边缘计算等领域，提供高效能、低功耗的创新客制化芯片及解决方案，协助全球制造商打造更具竞争力的产品。

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